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氮化物LED芯片研究成果入选3篇ESI高被引论文

分类: 学术科研     作者: 陈敏     审核:     来源: 亚洲城网站国际    时间:2020-09-16    访问量:576   

近日,根据学校图书馆ESI引用论文动态数据显示,202059月,亚洲城网站国际在氮化物LED芯片研究领域新增三篇ESI高被引论文,分别为2019年在Optics ExpressApplied Surface ScienceNano Energy上发表的三篇氮化物LED芯片论文“Highly efficient GaN-based high-power flip-chip light-emitting diodes”“High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes”“Boosted ultraviolet electroluminescence of InGaN/AlGaN quantum structures grown on high-index contrast patterned sapphire with silica array”

研究工作“Highly efficient GaN-based high-power flip-chip light-emitting diodes”提出了一种三维倒装结构LED芯片,显著提升了器件的电流注入效率和散热性能。周圣军教授为论文第一作者,刘胜教授为论文通讯作者。

研究工作“High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes”采用等电子掺杂技术降低氮化镓(GaN)材料的位错密度,提升了紫外LED芯片的内量子效率。周圣军教授为论文第一作者,刘胜教授、周圣军教授、胡红坡博士为论文通讯作者。

研究工作“Boosted ultraviolet electroluminescence of InGaN/AlGaN quantum structures grown on high-index contrast patterned sapphire with silica array”开发了一种可以同时提升紫外LED芯片内量子效率和光提取效率的新型图形衬底。胡红坡博士、唐斌、万辉为论文共同第一作者,周圣军教授为论文通讯作者。

亚洲城网站国际为上述三篇ESI高被引论文的第一作者和通讯作者单位。


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